Ludwig Stockmeier epub Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.

okumak Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.
ZIP 10.3 Mb
RAR 10.8 Mb
EXE 10.9 Mb
APK 9.4 Mb
IOS 5.5 Mb
Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.

Ludwig Stockmeier yazarının Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitabı da dahil olmak üzere birçok dosya aşağıdaki bölümleri de içerebilir:
- imza dosyası: çeşitli varlıklar için dijital imzalar içerir.
- şifreleme.xml: yayımlama kaynaklarının şifrelenmesiyle ilgili bilgileri içerir. (Yazı tipi gizleme kullanılıyorsa bu dosya gereklidir.)
- meta veriler: kapsayıcı hakkında meta verileri depolamak için kullanılır.
- haklar: Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitabının dijital haklarıyla ilgili bilgileri depolamak için kullanılır.

XHTML içerik belgeleri ayrıca zengin meta verilerle Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitap işaretlemesine açıklama ekleme olanakları içerir, bu da onları hem işleme hem de erişilebilirlik amaçları için anlamsal olarak daha anlamlı ve kullanışlı hale getirir.

E içerik belgeleri, bir yayının okunabilir içeriğini tanımlayan ve ilgili medya varlıklarına (görüntüler, ses ve video klipler gibi) bağlantı veren XHTML (HTML5 profili tarafından tanımlanır) veya SVG belgeleri vb.'dir.

Biçim seçin
pdf kindle doc
yazar
Boyutlar ve boyutlar
Tarafından yayınlandı
30 Ekim 2011 18,9 x 0,5 x 24,6 cm Mdpi AG 15 x 0,5 x 22 cm 29 Ekim 2011 28 Ekim 2011 28 Şubat 2018 18,9 x 0,6 x 24,6 cm 18,9 x 0,4 x 24,6 cm WADE H MCCREE ROBERT H BORK 18,9 x 0,2 x 24,6 cm Additional Contributors Kolektif 18,9 x 0,3 x 24,6 cm 3 Ocak 2017 1 Ocak 2017 ERWIN N GRISWOLD
okumak okumak kayıt olmadan
yazar Ludwig Stockmeier
isbn 10 3839613450
isbn 13 978-3839613450
Yayımcı Fraunhofer Verlag
Boyutlar ve boyutlar 14.81 x 1.12 x 21.01 cm
Tarafından yayınlandı Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. 1 Ağustos 2018

Heavily doped silicon is required for devices such as PowerMOSFETs. For the devices to be as sufficient as possible it is necessary to lower the electrical resistivity of the silicon substrate as low as possible. Yet, during the growth of heavily n-type doped silicon by the Czochralski method dislocation formation occurs frequently, reducing yield. Thus this work covers the topics intrinsic point defects, electrical activity of dopant atoms, spreading of dislocations and facet growth. Each topic is discussed in regard of their possible impact on the formation of the dislocations. In doing so, the control of facet growth is found to be most crucial to prevent the formation of the dislocations.

okumak okumak kayıt olmadan

En son kitaplar

benzer kitaplar
The Economic Logic of Late Capitalism and the Inevitable Triumph of Socialism

okumak kayıt olmadan
Öffentliche Soziologie in Aktion: 72 Stunden Stadtplanung zum Mitmachen (Öffentliche Wissenschaft und gesellschaftlicher Wandel)

okumak kayıt olmadan
The Dynamics of Federalism in Nigeria

okumak kayıt olmadan
Equity Index Construction and Research on Wealth Gap

okumak kayıt olmadan
Trends in Event Education: Ein Tagungsband zur Veranstaltungswirtschaft

okumak kayıt olmadan
DEN LYSERØDE TREKANT MELLEM POLITIK, AIDS OG KULTUR: Erindringer fra Landsforeningen for Bøsser og Lesbiske fra 1971 til 2002 og lidt mere

okumak kayıt olmadan