Ludwig Stockmeier doc Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.

okumak Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.
ZIP 5.7 Mb
RAR 10.3 Mb
EXE 9.9 Mb
APK 9.8 Mb
IOS 10.1 Mb
Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method.

DOC - ihtiyaçlarına göre Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitap hazırlamak isteyen Ludwig Stockmeier yazarlar için. İhtiyaç duydukları formata dönüştürün veya Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitabını bir matbaada yazdırın, ancak önce kağıt maliyetlerini en aza indirmek için yazı tipini azaltın.
-
En zor seçenek, Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitabınızın resimlerle dolu olması ve bu olmadan metnin tüm anlamını yitirmesidir. Görüntülü elektronik kitapların hemen hemen tüm biçimleri insanlık dışı muamele görür, onları artık bir şeyi ayırt etmenin mümkün olmadığı boyutlara indirir, dönüştürücü gerekli gördüğünde metindeki yerlerini değiştirir, vb. Resimler içeren bir e-kitabı Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. yayınlamanın tek yolu (ve hem illüstrasyonlar hem de resimler, çizimler, grafikler vb. olabilir) onu PDF'ye dönüştürmektir. Ama ... Bu formatın dezavantajları yukarıda zaten belirtilmiştir.
-
Alternatif olarak, her biri kendi ekran boyutuna göre düzenlenmiş birkaç PDF dosyası hazırlayabilirsiniz. Bu arada, 9 inç e-okuyucular, A4 formatında düzenlenmiş PDF'yi mükemmel bir şekilde görüntüler.

İşte harika bir örnek: Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. - Ludwig Stockmeier

A4 formatı ve A6 formatı için PDF.
-
DOC ve RTF - İki tür dosya da bilgisayarlardan e-okuyuculara taşındı. Hemen hemen tüm cihazlar bunları destekler, ancak pratikte bu biçimlerde Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitap okumak oldukça zordur. DOC ve RTF, metni bir okuyucunun küçük ekranından ziyade bir monitörde görüntülemek üzere tasarlandığından, içindeki biçimlendirme bazen garip ve okunamaz. İki kısa kelime tüm satıra yayılabilir, paragraflar uçup gidebilir, metni büyük bir sayfaya boşaltabilir. Genel olarak, onlarla uğraşmamalısınız. Ve bir şekilde bu biçimlerden birinde bir Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. kitabınız varsa - onu daha okunabilir bir şeye dönüştürün. İnternette FB2 veya EPUB'a çeviren çok sayıda ücretsiz dönüştürücü var.

Biçim seçin
pdf kindle epub
yazar
Boyutlar ve boyutlar
Tarafından yayınlandı
18,9 x 0,4 x 24,6 cm 30 Ekim 2011 3 Ocak 2017 18,9 x 0,6 x 24,6 cm 29 Ekim 2011 28 Şubat 2018 15 x 0,5 x 22 cm 18,9 x 0,3 x 24,6 cm Kolektif 18,9 x 0,5 x 24,6 cm 18,9 x 0,2 x 24,6 cm 28 Ekim 2011 Mdpi AG WADE H MCCREE 1 Ocak 2017 Additional Contributors ERWIN N GRISWOLD ROBERT H BORK
okumak okumak kayıt olmadan
yazar Ludwig Stockmeier
isbn 10 3839613450
isbn 13 978-3839613450
Yayımcı Fraunhofer Verlag
Boyutlar ve boyutlar 14.81 x 1.12 x 21.01 cm
Tarafından yayınlandı Heavily n-type doped silicon and the dislocation formation during its growth by the Czochralski method. 1 Ağustos 2018

Heavily doped silicon is required for devices such as PowerMOSFETs. For the devices to be as sufficient as possible it is necessary to lower the electrical resistivity of the silicon substrate as low as possible. Yet, during the growth of heavily n-type doped silicon by the Czochralski method dislocation formation occurs frequently, reducing yield. Thus this work covers the topics intrinsic point defects, electrical activity of dopant atoms, spreading of dislocations and facet growth. Each topic is discussed in regard of their possible impact on the formation of the dislocations. In doing so, the control of facet growth is found to be most crucial to prevent the formation of the dislocations.

okumak okumak kayıt olmadan

En son kitaplar

benzer kitaplar
The Economic Logic of Late Capitalism and the Inevitable Triumph of Socialism

okumak kayıt olmadan
Öffentliche Soziologie in Aktion: 72 Stunden Stadtplanung zum Mitmachen (Öffentliche Wissenschaft und gesellschaftlicher Wandel)

okumak kayıt olmadan
The Dynamics of Federalism in Nigeria

okumak kayıt olmadan
Equity Index Construction and Research on Wealth Gap

okumak kayıt olmadan
Trends in Event Education: Ein Tagungsband zur Veranstaltungswirtschaft

okumak kayıt olmadan
DEN LYSERØDE TREKANT MELLEM POLITIK, AIDS OG KULTUR: Erindringer fra Landsforeningen for Bøsser og Lesbiske fra 1971 til 2002 og lidt mere

okumak kayıt olmadan