Localization Effects in Disordered III-V Semiconductor Nanostructures
Mohammad Khaled Shakfa yazarının Localization Effects in Disordered III-V Semiconductor Nanostructures kitabı da dahil olmak üzere birçok dosya aşağıdaki bölümleri de içerebilir:
- imza dosyası: çeşitli varlıklar için dijital imzalar içerir.
- şifreleme.xml: yayımlama kaynaklarının şifrelenmesiyle ilgili bilgileri içerir. (Yazı tipi gizleme kullanılıyorsa bu dosya gereklidir.)
- meta veriler: kapsayıcı hakkında meta verileri depolamak için kullanılır.
- haklar: Localization Effects in Disordered III-V Semiconductor Nanostructures kitabının dijital haklarıyla ilgili bilgileri depolamak için kullanılır.
XHTML içerik belgeleri ayrıca zengin meta verilerle Localization Effects in Disordered III-V Semiconductor Nanostructures kitap işaretlemesine açıklama ekleme olanakları içerir, bu da onları hem işleme hem de erişilebilirlik amaçları için anlamsal olarak daha anlamlı ve kullanışlı hale getirir.
E içerik belgeleri, bir yayının okunabilir içeriğini tanımlayan ve ilgili medya varlıklarına (görüntüler, ses ve video klipler gibi) bağlantı veren XHTML (HTML5 profili tarafından tanımlanır) veya SVG belgeleri vb.'dir.
yazar | Mohammad Khaled Shakfa |
---|---|
Boyutlar ve boyutlar | 14,9 x 0,9 x 21,1 cm |
Tarafından yayınlandı | 7 Aralık 2015 |
28 Ekim 2011 18,9 x 0,2 x 24,6 cm 28 Şubat 2018 18,9 x 0,4 x 24,6 cm 29 Ekim 2011 WADE H MCCREE 3 Ocak 2017 ROBERT H BORK 30 Ekim 2011 18,9 x 0,5 x 24,6 cm ERWIN N GRISWOLD 15 x 0,5 x 22 cm 18,9 x 0,6 x 24,6 cm Kolektif 18,9 x 0,3 x 24,6 cm Additional Contributors Mdpi AG 1 Ocak 2017
okumak okumak kayıt olmadan
yazar | Mohammad Khaled Shakfa |
---|---|
isbn 10 | 3736991606 |
isbn 13 | 978-3736991606 |
Yayımcı | Cuvillier Verlag; 1. baskı |
Dilim | İngilizce |
Boyutlar ve boyutlar | 14,9 x 0,9 x 21,1 cm |
Tarafından yayınlandı Localization Effects in Disordered III-V Semiconductor Nanostructures | 7 Aralık 2015 |
Due to the increasing demands industrially as well as scientifically on new optoelectronic devices for specific applications, semiconductor materials with desired energy band-gap are needed. In this context, alloying provides the ability to tailor the energy band gap of a compound semiconductor (ternary or quaternary) through the manipulation of its constituent composition. In this thesis, It is focused on two different III-V-based compound semiconductor materials, Ga(NAsP) and Ga(AsBi), both are promising for long-wavelength optoelectronic applications. In particular, quaternary Ga(NAsP) semiconductor structures can be utilized for the fabrication of intermediate band solar cells, for infrared laser emission, and, with a tremendous potential, for the realization of monolithic optoelectronic integrated circuits on silicon substrate (silicon photonics). On the other hand, ternary Ga(AsBi) semiconductor structures have been employed for a variety of applications including, for example, but not limited to, photoconductive terahertz antennas, light-emitting diodes (LEDs), and optically pumped as well as electrically injected laser diodes.Band gap engineering is achieved in the studied GaAs-based compounds by varying the amount of the incorporated V-element, i.e., nitrogen or bismuth. Despite the advantage of a shrinking in the band-gap energy, the introduction of a small amount of a V-element to a GaAs host structure results in an increase in the disorder potential due to the differences, e.g., in size and electronegativity between the incorporated and substituted anions. The presence of disorder effects within a semiconductor can significantly influence its electronic structure, i.e., the density of localized states (DOS) is increased. Disorder-induced localized states drastically affect carrier recombination processes in semiconductors. The changes in carrier dynamics can be revealed by investigating, e.g., electrical and optical properties of disordered semiconductors. In the presented work, photoluminescence (PL) spectroscopy measurements are employed for the characterization of disorder in semiconductor nanostructures. Beside the need of a qualitative explanation, a quantitative description of disorder effects, i.e., energy scaling of the disorder potential, is a task of crucial importance. Both aspects are discussed through the thesis.
En son kitaplar
benzer kitaplar
Untersuchungen zur in vitro Immunisierung und polyklonalen Aktivierung- von humanen B-Lymphozyten durch bakterielle Antigene.
okumak kayıt olmadan
Sketches Of The Most Important Battles Of The Revolution, Explanatory Of The Vine Of Liberty
okumak kayıt olmadan
Glowing Embers for the New Humanity, Meher Baba & C.G.Jung: God can only be Lived
okumak kayıt olmadan
Untersuchungen zur in vitro Immunisierung und polyklonalen Aktivierung- von humanen B-Lymphozyten durch bakterielle Antigene.
okumak kayıt olmadan
Sketches Of The Most Important Battles Of The Revolution, Explanatory Of The Vine Of Liberty
okumak kayıt olmadan
Glowing Embers for the New Humanity, Meher Baba & C.G.Jung: God can only be Lived
okumak kayıt olmadan