Springer; 1st ed. 2020 basım kindle High-Frequency GaN Electronic Devices

okumak High-Frequency GaN Electronic Devices
ZIP 9.6 Mb
RAR 7.8 Mb
EXE 5.8 Mb
APK 7.3 Mb
IOS 7.8 Mb
High-Frequency GaN Electronic Devices

Kindle Format 8 (KF8), High-Frequency GaN Electronic Devices Amazon Kindle kitapları için Mobi 7'nin yerini alan en yeni nesil dosya formatıdır.
Kindle Fire'da kullanılır. Ayrıca yazılım sürümü 4.1.0 veya üzeri, Kindle for PC ve Kindle Reader for Mac ile dördüncü nesil Kindle cihazlarında da desteklenir.
Kindle cihazları, diğer birçok e-Kitap okuyucusu tarafından kullanılan EPUB dosya biçimini desteklemez. Bunun yerine, Amazon'un tescilli e-kitap biçimlerini kullanacak şekilde tasarlanmıştır: AZW, MOBI ve daha yeni cihazlarda KF8.
Bu biçimler, yeniden akış, zengin biçimde biçimlendirilmiş e-kitap içeriği için tasarlanmıştır ve DRM kısıtlamalarını destekler, ancak EPUB'dan farklı olarak özel biçimlerdir.

Not. Eski mobipocket formatı HTML ve CSS ile oluşturulmuştur ve EPUB gibi .opf ve .ncx gibi bazı Open eBook (OEB) dosyalarını kullanır. Başlangıçta Palm Pilot gibi düşük güçlü mobil cihazlar için tasarlandı.

Kindle KF8, Amazon'un tescilli biçiminde kodlanmıştır, yayıncılar aşağıdaki iş akışını kullanarak High-Frequency GaN Electronic Devices Kindle kitapları oluşturur:

KindleGen adlı ücretsiz bir yazılım kullanın. Kindle kitabı oluşturmak için bir komut satırı aracıdır. KindleGen, Springer; 1st ed. 2020 basım'dan HTML, XHTML veya EPUB gibi High-Frequency GaN Electronic Devices kitaptaki orijinal içeriği kabul eder.
Adobe InDesign için Kindle Plugin adlı ücretsiz bir yazılımın eklenmesiyle Adobe InDesign'ı kullanın. Bu eklenti, bir yayıncının High-Frequency GaN Electronic Devices içeriğini InDesign'dan Kindle KF8 formatına dönüştürmesine olanak tanır.
Kindle kitapları oluşturmak ve bunları Amazon'da satmak için Amazon'un self servis araçlarını kullanın: Kindle Direct Publishing Platform (KDP).
Üçüncü taraf dönüştürücü araçlarını kullanın (açık kaynaklı e-kitaplar gibi).
Profesyonel dönüşüm hizmetleri için dış kaynak kullanımı
Kindle'da yayınlamak için yazarlar genellikle içeriklerini aşağıdaki biçimlerde yazarlar ve tamamlandıktan sonra High-Frequency GaN Electronic Devices dosyalarını Kindle biçimine dönüştürürler.
- Kelime (DOC veya DOCX)
- HTML (ZIP, HTM veya HTML)
- ePub (EPUB)
- Adobe PDF (PDF)
- Mobipocket (MOBI veya PRC)

Biçim seçin
pdf epub doc
yazar
Boyutlar ve boyutlar
Tarafından yayınlandı
28 Ekim 2011 Mdpi AG WADE H MCCREE ERWIN N GRISWOLD 3 Ocak 2017 18,9 x 0,4 x 24,6 cm 18,9 x 0,5 x 24,6 cm 30 Ekim 2011 Additional Contributors 18,9 x 0,6 x 24,6 cm 1 Ocak 2017 25 Ağustos 2020 ROBERT H BORK 28 Şubat 2018 18,9 x 0,2 x 24,6 cm Kolektif 18,9 x 0,3 x 24,6 cm 15 x 0,5 x 22 cm
okumak okumak kayıt olmadan
yazar Springer; 1st ed. 2020 basım
isbn 13 978-3030202101
Yayımcı Springer; 1st ed. 2020 basım
Boyutlar ve boyutlar 15.6 x 1.7 x 23.39 cm
Tarafından yayınlandı High-Frequency GaN Electronic Devices 25 Ağustos 2020

This book brings together recent research by scientists and device engineers working on both aggressively-scaled conventional transistors as well as unconventional high-frequency device concepts in the III-N material system. Device concepts for mm-wave to THz operation based on deeply-scaled HEMTs, as well as distributed device designs based on plasma-wave propagation in polarization-induced 2DEG channels, tunneling, and hot-carrier injection are discussed in detail.  In addition, advances in the underlying materials science that enable these demonstrations, and advancements in metrology that permit the accurate characterization and evaluation of these emerging device concepts are also included.  Targeting readers looking to push the envelope in GaN-based electronics device research, this book provides a current, comprehensive treatment of device concepts and physical phenomenology suitable for applying GaN and related materials to emerging ultra-high-frequency applications.   Offers readers an integrated treatment of the state of the art in both conventional (i.e., HEMT) scaling as well as unconventional device architectures suitable for amplification and signal generation in the mm-wave and THz regime using GaN-based devices, written by authors that are active and widely-known experts in the field; Discusses both conventional scaled HEMTs (into the deep mm-wave) as well as unconventional approaches to address the mm-wave and THz regimes; Provides “vertically integrated” coverage, including materials science that enables these recent advances, as well as device physics & design, and metrology techniques; Includes fundamental physics, as well as numerical simulations and experimental realizations.

okumak okumak kayıt olmadan

En son kitaplar

benzer kitaplar
Advances in Information and Computer Security: 15th International Workshop on Security, IWSEC 2020, Fukui, Japan, September 2–4, 2020, Proceedings ... in Computer Science (12231), Band 12231)

okumak kayıt olmadan
Microgrid Architectures, Control and Protection Methods (Power Systems)

okumak kayıt olmadan
Cultures and Traditions of Wordplay and Wordplay Research (The Dynamics of Wordplay, Band 6)

okumak kayıt olmadan
Artificial Neural Networks in Pattern Recognition: 9th IAPR TC3 Workshop, ANNPR 2020, Winterthur, Switzerland, September 2–4, 2020, Proceedings (Lecture Notes in Computer Science (12294), Band 12294)

okumak kayıt olmadan
Beginning Quarkus Framework: Build Cloud-Native Enterprise Java Applications and Microservices

okumak kayıt olmadan
The Fungal Cell Wall: An Armour and a Weapon for Human Fungal Pathogens (Current Topics in Microbiology and Immunology (425), Band 425)

okumak kayıt olmadan