Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej okumak kayıt olmadan

Termodynamiczna analiza procesów wzrostu warstwy epitaksjalnej

Ders Kitapları

Niniejsza praca jest poświęcona analizie termodynamicznej procesów fizykochemicznych wzrostu warstw epitaksjalnych związku pólprzewodnikowego Ga2Se3 z fazy gazowej w ukladzie przeplywowym Ga - Se - Cl - H oraz modelowaniu procesów technologicznych w celu prognozowania możliwych wariantów technologicznych i określenia optymalnych warunków syntezy tego związku. Podano wyniki badań nad definiowaniem i obliczaniem parametrów termodynamicznych poszczególnych substancji systemu Ga - Se - Cl - H, do wykorzystania przy termodynamicznym modelowaniu procesów wzrostu warstw epitaksjalnych Ga2Se3 z fazy gazowej. Zbadano związek pomiędzy zmiennymi termodynamicznymi a parametrami technologicznymi procesu syntezy Ga2Se3 w reaktorze typu otwartego z oddzielnymi źródlami galu i selenu. Zilustrowano schemat obliczenia parametrów technologicznych procesu narastania warstw epitaksjalnych Ga2Se3 w ukladzie transportu gazu przeplywowego z wydzielonymi źródlami galu i selenu.

---

pdf kindle epub doc

---

---

30 Ekim 2011 18,9 x 0,2 x 24,6 cm Additional Contributors ROBERT H BORK 18,9 x 0,3 x 24,6 cm 18,9 x 0,4 x 24,6 cm 15 x 0,5 x 22 cm 18,9 x 0,6 x 24,6 cm 28 Şubat 2018 Mdpi AG 28 Ekim 2011 3 Ocak 2017 ERWIN N GRISWOLD WADE H MCCREE 1 Ocak 2017 29 Ekim 2011 18,9 x 0,5 x 24,6 cm Kolektif

---

okumak okumak kayıt olmadan